米ジョージタウン大学の「新興技術観測（ETO）プロジェクト」は3日、ウェブサイトで報告書を発表した。その中で、2018～23年に世界で発表された半導体の設計・製造に関連する論文のうち、中国の研究者による論文数が他国を大きく上回ったことを示した。また、中国は高被引用論文の分野でも優れた成果を上げている。新華社が伝えた。

報告書のデータによると、18～23年に世界で約47万5000本の半導体設計・製造関連論文が発表された。うち34％は中国の機関の著者が参加しており、15％は米国の著者、18％は欧州の著者が参加。全体的に見ると、中国は半導体設計・製造に関する最大の論文発表国で、米国などのその他の主要論文発表国をリードしている。世界の半導体研究論文発表数トップ10機関のうち、中国の9機関が入っている。

半導体研究の高品質論文の分野でも、中国は首位に立っている。すべての半導体設計・製造関連の高被引用論文のうち、50％は中国の機関の著者が参加しており、米国の著者は22％、欧州の著者は17％。中国と米国に続き、韓国とドイツがそれぞれ3位と4位にランクインしたが、上位2カ国と大きな開きがある。なお、半導体設計・製造関連論文のうち、年間被引用数トップ10％の論文が高被引用論文とされる。

ETOプロジェクトはジョージタウン大学安全・新興技術センターが主催。英誌ネイチャーのウェブサイトは3日、同プロジェクトのチーフアナリストの発言として、「研究結果は中国が現在、半導体分野でリードしていることを意味するわけではないが、将来の発展の方向性を示すものだ」と伝えた。

また、同センターのデータ研究アナリストであるヤコブ・フェルドゴイス氏はネイチャーに対し、「半導体研究におけるいくつかの新興の注目分野で、中国は多くの次世代技術の実験を行っている。中国がその一部の技術を実用化できれば、追いつくだけでなく、飛躍的な発展を遂げる可能性がある」と述べた。（提供/人民網日本語版・編集/YF）